报告题目：基于半导体材料的全光谱发光与探测研究

报告人：杨宗银研究员

报告时间：2021年4月24日上午10:30-12:00

报告地点：西南科技大学极端条件物质特性联合实验室-东九B座316会议室

报告摘要：带隙是决定半导体材料应用价值的主要特性参数之一，然而自然界中能获得的半导体材料带隙有限，只能在几个分立的波段内发光和探测，制约半导体光电子技术的发展。通过在材料生长过程中对组分进行连续调控可以获得带隙渐变半导体材料，这种材料在三维形貌的维度上增加了光谱维度，具有全光谱可调的光电特性，拓展了半导体材料在光电子器件上的应用。报告人将详细介绍带隙渐变半导体材料的生长，器件加工方法以及光电子应用。重点介绍基于带隙渐变纳米材料开发的世界上最小的光谱仪和调谐范围最宽的激光器。

报告人简介：杨宗银，博士，浙江大学信息与电子工程学院研究员，长期致力于全光谱发光与探测器件的微型化研究，在领域内创造了多个世界之最：首次提出带隙渐变材料的合成方法、发明了世界最小光谱仪和世界最宽波长可调谐纳米激光器。自2010年以来，在Science, Nature Communications, Science Advances, Advanced Materials, Nano Letters, ACS Nano等世界顶级期刊上系统性地发表论文33篇。其中以第一作者身份在Science（2篇）、Nano Letters（2篇）和Journal of the American Chemical Society（并一）等影响因子大于10的顶级期刊上发表论文5篇。在Springer出版社合作出版著作1部。授权中国专利8项，申请英国专利1项，PCT专利1项。多次受邀担任Nature Nanotechnology等顶级期刊的审稿人，应邀担任Frontiers in Chemistry杂志的专题编辑。因在光电子领域的突出贡献，杨宗银被剑桥大学国王学院授予研究员头衔（Research Associate 即Non-stipend fellow）。2019年获国家优秀自费留学奖特等奖(全球仅10名)，是英国近几年第一位理工科特等奖获得者，获得剑桥大学博士生全额奖学金(全球仅80名)。

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理学院

2021.04.20